Datasheet JCS8N60B Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	JCS8N60B	N-CHANNEL MOSFET www.DataSheet.co.kr R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS8N60B 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 7.0 A 600 V 1.2 Ω 25 nC APPLICATIONS z High efficiency switch mode	JILIN SINO-MICROELECTRONICS

JCS8N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
JCS8N60	N-CHANNEL MOSFET Datasheet.es R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS8N60 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 7.5 A 600 V 1.2 Ω 54 nC APPLICATIONS z High effi	JILIN SINO-MICROELECTRONICS
JCS8N60B	N-CHANNEL MOSFET Datasheet.es R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS8N60B 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 7.0 A 600 V 1.2 Ω 25 nC APPLICATIONS z High eff	JILIN SINO-MICROELECTRONICS
JCS8N65B	N-CHANNEL MOSFET Datasheet.es R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS8N65B 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 7.0 A 6R 0 V 1. Ω 25 nC APPLICATIONS z High eff	JILIN SINO-MICROELECTRONICS

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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