Datasheet JCS6N90BH Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	JCS6N90BH	N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS6N90H 主要参数 MAIN ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ CHARACTERISTICS 6A 900 V 3.0 Ω 14 nC 封装 Package 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z	JILIN SINO-MICROELECTRONICS

JCS6N9 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
JCS6N90FH	N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS6N90H 主要参数 MAIN ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ CHARACTERISTICS 6A 900 V 3.0 Ω 14 nC 封装 Package 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mo	JILIN SINO-MICROELECTRONICS
JCS6N90BH	N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS6N90H 主要参数 MAIN ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ CHARACTERISTICS 6A 900 V 3.0 Ω 14 nC 封装 Package 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mo	JILIN SINO-MICROELECTRONICS
JCS6N90H	N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS6N90H 主要参数 MAIN ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ CHARACTERISTICS 6A 900 V 3.0 Ω 14 nC 封装 Package 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mo	JILIN SINO-MICROELECTRONICS

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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