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Datasheet JCS650 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 4 | JCS650 | N- CHANNEL MOSFET R
JCS650
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg
28.0A 200 V 0.085Ω 103nC
封装 Package
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch mode power supplies
z Elect |
 JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
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| 3 | JCS650C | N- CHANNEL MOSFET R
JCS650
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg
28.0A 200 V 0.085Ω 103nC
封装 Package
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch mode power supplies
z Elect |
JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
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| 2 | JCS650F | N- CHANNEL MOSFET R
JCS650
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg
28.0A 200 V 0.085Ω 103nC
封装 Package
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch mode power supplies
z Elect |
JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
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| 1 | JCS650S | N- CHANNEL MOSFET R
JCS650
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg
28.0A 200 V 0.085Ω 103nC
封装 Package
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch mode power supplies
z Elect |
JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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