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R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS640 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson (@Vgs=10V) Qg 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 18.0 A 200 V 0.18Ω 47 nC APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electr
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET R JCS640H 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18A VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.15Ω Qg-typ 27.5nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode po
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET R JCS640H 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18A VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.15Ω Qg-typ 27.5nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode po
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