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Datasheet JCS640 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 10 | JCS640 | N-CHANNEL MOSFET R
N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET
JCS640
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
18.0 A 200 V 0.18Ω 47 nC
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies z Electr |
 JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
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| 9 | JCS640C | N-CHANNEL MOSFET R
N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET
JCS640
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
18.0 A 200 V 0.18Ω 47 nC
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies z Electr |
JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
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| 8 | JCS640C-O-C-N-B | N-CHANNEL MOSFET R
N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET
JCS640
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
18.0 A 200 V 0.18Ω 47 nC
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies z Electr |
JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
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| 7 | JCS640CH | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET
R
JCS640H
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 18A
VDSS
200 V
Rdson-max （@Vgs=10V）
0.15Ω
Qg-typ
27.5nC
封装 Package
用途
高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源
APPLICATIONS
High efficiency switch mode po |
JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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