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JCS2N60I  

JILIN SINO-MICROELECTRONICS
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JCS2N60I

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor

R N 沟道增强型场效应晶体管 JCS2N60 U/I 产品特性 ◆600V,RDS=5.0 Ω@VGS=10V ◆低栅极电荷(典型值 12.5nC) ◆低 Crss(典型值 7.6pF) ◆开关速度快 ◆产品全部经过雪崩测试 ◆高抗 dv/dt 能力 主要用途 ◆高频开




관련 부품 JCS2N6 상세설명

JCS2N65TC  

  
N-CHANNEL MOSFET

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途  高频开关电源  电子镇流器  LED 电源 APPLICATIONS  High efficiency switch mode power supplies �



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JCS2N65T  

  
N-CHANNEL MOSFET

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途  高频开关电源  电子镇流器  LED 电源 APPLICATIONS  High efficiency switch mode power supplies �



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JCS2N65R  

  
N-CHANNEL MOSFET

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途  高频开关电源  电子镇流器  LED 电源 APPLICATIONS  High efficiency switch mode power supplies �



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JCS2N65CC  

  
N-CHANNEL MOSFET

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途  高频开关电源  电子镇流器  LED 电源 APPLICATIONS  High efficiency switch mode power supplies �



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JCS2N65C  

  
N-CHANNEL MOSFET

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途  高频开关电源  电子镇流器  LED 电源 APPLICATIONS  High efficiency switch mode power supplies �



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JCS2N60T  

  
N-CHANNEL MOSFET

R JCS2N60C JCS2N60C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson(Vgs=10V) 4.5 Ω Qg 8 nC 封装 Package 用途  高频开关电源  电子镇流器  LED 电源 产品特性 低栅极电荷 低Crss (典型值 3.8pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩�



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