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N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies �
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies �
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies �
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies �
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies �
R JCS2N60C JCS2N60C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson(Vgs=10V) 4.5 Ω Qg 8 nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 产品特性 低栅极电荷 低Crss (典型值 3.8pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩�
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