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N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies �
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies �
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R N 沟道增强型场效应晶体管 JCS2N60 U/I 产品特性 ◆600V,RDS=5.0 Ω@VGS=10V ◆低栅极电荷(典型值 12.5nC) ◆低 Crss(典型值 7.6pF) ◆开关速度快 ◆产品全部经过雪崩测试 ◆高抗 dv/dt 能力 主要用途 ◆高频开关电源 ◆电子镇流器 ◆UPS 电�
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson(Vgs=10V) 5.0 Ω Qg 8.0 nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies �
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