|
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS10N65T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson(@Vgs=10V) 0.95Ω Qg 34 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High frequency switching mode power supply z Elect
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS10N65T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson(@Vgs=10V) 0.95Ω Qg 34 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High frequency switching mode power supply z Elect
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS10N65T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson(@Vgs=10V) 0.95Ω Qg 34 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High frequency switching mode power supply z Elect
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS10N65T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson(@Vgs=10V) 0.95Ω Qg 34 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High frequency switching mode power supply z Elect
|
사이트 맵 |
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C |
PartNumber.co.kr | 2020 | 연락처 |