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J449 전자부품 데이터시트



J449 전자부품 회로 및 기능 검색 결과

번호 파트넘버 J449 기능 및 상세설명 제조사 PDF
1 J449      2SJ449

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SJ449 SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SJ449 is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications. PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters) 10.0 ±0.3 3
NEC
NEC
J449


J4 - 일치하는 검색결과

부품번호 상세설명 제조사 PDF
J421     
2SJ421

Ordering number:EN5077 Features · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 4V drive. P-Channel Silicon MOSFET 2SJ421 Ultrahigh-Speed Switching Applications Package Dimensions unit:mm 2116 [2SJ421] 85 0.1 1.5 1.8max 4.4 0.3 6.0 1 5.0 4 Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta =

Sanyo
Sanyo
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J425     
2SJ425

www.datasheet.jp 2SJ425 Absolute Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID ID (pulse) PD Tch Tstg ± Ratings –60 ± 20 8 150ºC) (Ta = 25ºC) External dimensions 1 ...... FM20 Electrical Characteristics Symbol V(BR) DSS I GSS I DSS VTH Re (yfs) RDS (on) Ciss Coss t on t off –2.0 1.8 2.8 0.2 580 3

Sanken electric
Sanken electric
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J464     
2SJ464

2SJ464 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-π-MOSV) 2SJ464 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications • • • • • 4-V gate drive Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 64 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 15 S (typ.) Lo

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
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J412     
2SJ412

2SJ412 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-π-MOSV) 2SJ412 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications • 4-V gate drive • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.15 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.7 S (typ.) • Low leakag

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
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J476     
2SJ476

Fuji Electric
Fuji Electric
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전자부품 판매 정보

국내 판매점 디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ
해외 판매점 Mouser Electronics DigiKey Electronics Element14
전력반도체 전문 판매 ( IGBT 모듈, TR 모듈, SCR 모듈, 다이오드 모듈, 휴즈 )

및 공작기계 매입 : 휴 010-3582-2743

상호 : 아이지 인터내셔날, 전화번호 : 051-319-2877, [ 홈페이지 ]

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