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Datasheet IXTA2N100P Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IXTA2N100P | Power MOSFET ( Transistor ) PolarTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA2N100P IXTP2N100P IXTY2N100P
VDSS = ID25 = ≤RDS(on)
1000V 2.0A 7.5Ω
TO-263 (IXTA)
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS
dV/dt
PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C, |
IXYS |
IXTA2N1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IXTA2N100P | Power MOSFET ( Transistor ) |
IXYS |
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IXTA2N100 | High Voltage MOSFET |
IXYS Corporation |
Esta página es del resultado de búsqueda del IXTA2N100P. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXTA2N100P se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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