Datasheet IXFN38N100P Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IXFN38N100P	Polar Power MOSFET HiPerFET PolarTM Power MOSFET HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFN38N100P VDSS ID25 RDS(on) trr = = ≤ ≤ 1000V 38A 210mΩ 300ns miniBLOC, SOT-227 B E153432 S Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS dV/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD VISOL Md Test Conditions	IXYS Corporation

IXFN38N1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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IXFN38N100Q2	Power MOSFET ( Transistor ) HiPerFETTM Power MOSFET IXFN38N100Q2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr Preliminary Data Sheet VDSS = 1000 V ID25 = 38 A RDS(on)= 0.25 Ω trr ≤ 300 ns miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID	IXYS Corporation
IXFN38N100P	Polar Power MOSFET HiPerFET PolarTM Power MOSFET HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFN38N100P VDSS ID25 RDS(on) trr = = ≤ ≤ 1000V 38A 210mΩ 300ns miniBLOC, SOT-227 B E153432 S Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS dV/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD VISOL	IXYS Corporation

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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