Datasheet IXFN360N15T2 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IXFN360N15T2	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET Advance Technical Information GigaMOSTM TrenchT2 HiperFETTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFN360N15T2 RDS(on) ≤ ≤ trr VDSS ID25 = = 150V 310A 4.0mΩ 150ns miniBLOC, SOT-227 E153432 S Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IL(RMS) IDM IA EAS dV/dt	IXYS Corporation

IXFN360N1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IXFN360N15T2	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET Advance Technical Information GigaMOSTM TrenchT2 HiperFETTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFN360N15T2 RDS(on) ≤ ≤ trr VDSS ID25 = = 150V 310A 4.0mΩ 150ns miniBLOC, SOT-227 E153432 S Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IL(RM	IXYS Corporation
IXFN360N10T	GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET GigaMOSTM Trench HiperFETTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier IXFN360N10T VDSS ID25 RDS(on) trr = = ≤ ≤ 100V 360A 2.6mΩ 130ns miniBLOC, SOT-227 E153432 S G Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 ILRMS IDM IA EAS PD dV/dt TJ TJM	IXYS Corporation

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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