Datasheet IXFN170N10 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IXFN170N10	HiPerFET Power MOSFET HiPerFETTM Power MOSFET Single MOSFET Die Preliminary data Symbol Test Conditions VDSS I D25 170A 170A RDS(on) 10mW 10mW trr 200ns 200ns IXFN170N10 IXFK170N10 100V 100V TO-264 AA (IXFK) Maximum Ratings IXFK IXFN 170N10 170N10 100 100 ±20 ±30 170 76 680 170 60 5 560 -55 ... +150°C 150 -55	IXYS Corporation

IXFN170 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IXFN170N10	HiPerFET Power MOSFET HiPerFETTM Power MOSFET Single MOSFET Die Preliminary data Symbol Test Conditions VDSS I D25 170A 170A RDS(on) 10mW 10mW trr 200ns 200ns IXFN170N10 IXFK170N10 100V 100V TO-264 AA (IXFK) Maximum Ratings IXFK IXFN 170N10 170N10 100 100 ±20 ±30 170 76 680 170 60 5 560 -55	IXYS Corporation
IXFN170N65X2	Power MOSFET ( Transistor ) X2-Class HiPerFETTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFN170N65X2 D G S S Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS PD dv/dt TJ TJM Tstg VISOL Md Weight Test Conditions TJ = 25C to 150C TJ = 25C to 150C, RGS = 1M Cont	IXYS

Esta página es del resultado de búsqueda del IXFN170N10. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXFN170N10 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin.

Enlace url :

[1]

nuevas actualizaciones

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap