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Datasheet IXFK100N10 Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 IXFK100N10   HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr VDSS IXFK100N10 IXFN150N10 ID25 RDS(on) 12 mW 12 mW 100 V 100 A 100 V 150 A trr £ 200 ns TO-264 AA (IXFK) Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID120 IDM IAR EAR dv/dt PD TJ TJM Tstg TL VISOL Md Weight Test Cond
IXYS Corporation
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datasheet IXFK100N10 pdf

IXFK100 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
IXFK100N10

HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr VDSS IXFK100N10 IXFN150N10 ID25 RDS(on) 12 mW 12 mW 100 V 100 A 100 V 150 A trr £ 200 ns TO-264 AA (IXFK) Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID120 IDM IAR EAR dv/dt PD TJ TJM Tstg TL VISOL
IXYS Corporation
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datasheet pdf - IXYS Corporation
IXFK100N65X2

Power MOSFET ( Transistor )

X2-Class HiPerFETTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFK100N65X2 IXFX100N65X2 VDSS = ID25 = RDS(on)  650V 100A 30m TO-264P (IXFK) Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS PD dv/dt TJ TJM Tstg TL TSOLD Md FC Weight Test Co
IXYS
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IXFK100N25

HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFETTM Power MOSFETs Single MOSFET Die IXFX 100N25 IXFK 100N25 VDSS ID25 RDS(on) = 250 V = 100 A = 27 mΩ trr ≤ 250 ns Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID104 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL Md Weight Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RG
IXYS Corporation
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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