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IXBT6N170 전자부품 데이터시트



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IXBT6N170  

IXYS
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IXBT6N170

BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBH6N170 IXBT6N170 VCES = IC90 = VCE(sat) ≤ 1700V 6A 3.4V Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) PC TJ TJM Tstg TTLSOLD Md Weight Test Conditions TC = 25°C to 150°C T


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