|
|
Datasheet IXBT42N170A Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IXBT42N170A | (IXBH42N170A / IXBT42N170A) BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
Advance Technical Information BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH 42N170A IXBT 42N170A
VCES IC25 VCE(sat) tfi
= 1700 = 42 = 6.0 = 50
V A V ns
Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) TSC (SCSOA) PC TJ TJM Tstg
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C |
IXYS Corporation |
IXBT42N1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IXBT42N170 | (IXBH42N170 / IXBT42N170) High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor |
IXYS Corporation |
|
IXBT42N170A | (IXBH42N170A / IXBT42N170A) BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor |
IXYS Corporation |
Esta página es del resultado de búsqueda del IXBT42N170A. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXBT42N170A se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |