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Datasheet IXBT10N170 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | IXBT10N170 | High Voltage/ High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
High Voltage, High Gain
BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
TM
IXBH 10N170 IXBT 10N170
VCES = 1700 V IC25 = 20 A VCE(sat) = 3.8 V
Preliminary Data Sheet
Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) PC TJ TJM Tstg
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25 |
 IXYS Corporation |
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IXBT10N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| IXBT10N170 | High Voltage/ High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor |
IXYS Corporation |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
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