Datasheet IXBF9N160G Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IXBF9N160G	High Voltage BIMOSFET High Voltage BIMOSFETTM in High Voltage ISOPLUS i4-PACTM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBF 9N160 G IC25 = 7 A VCES = 1600 V VCE(sat) = 4.9 V tf = 70 ans 1 5 IGBT Symbol VCES VGES IC25 IC90 ICM VCEK Ptot Symbol VCE(sat) V GE(th) ICES IGES t d(on) tr td(off) tf Cies Q Gon V F RthJC Conditions	IXYS

IXBF9N1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IXBF9N160G	High Voltage BIMOSFET High Voltage BIMOSFETTM in High Voltage ISOPLUS i4-PACTM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBF 9N160 G IC25 = 7 A VCES = 1600 V VCE(sat) = 4.9 V tf = 70 ans 1 5 IGBT Symbol VCES VGES IC25 IC90 ICM VCEK Ptot Symbol VCE(sat) V GE(th) ICES IGES t d(on) tr td(off) tf Cies Q Gon V	IXYS
IXBF9N160	High Voltage BIMOSFET Advanced Technical Information High Voltage BIMOSFETTM in High Voltage ISOPLUS i4-PACTM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBF 9N140 IC25 IXBF 9N160 VCES VCE(sat) tf = = = = 7A 1400/1600 V 4.9V 40 ns 1 5 IGBT Symbol VCES VGES IC25 IC90 ICM VCEK Ptot TC = 25°C TC = 90°C VG	IXYS Corporation
IXBF9N140	High Voltage BIMOSFET Advanced Technical Information High Voltage BIMOSFETTM in High Voltage ISOPLUS i4-PACTM Monolithic Bipolar MOS Transistor IXBF 9N140 IC25 IXBF 9N160 VCES VCE(sat) tf = = = = 7A 1400/1600 V 4.9V 40 ns 1 5 IGBT Symbol VCES VGES IC25 IC90 ICM VCEK Ptot TC = 25°C TC = 90°C VG	IXYS Corporation

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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