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IRGP6690DPBF 전자부품 데이터시트
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IRGP6690DPBF 전자부품 회로 및
기능 검색 결과
IRGP6690DPBF
International Rectifier
Insulated Gate Bipolar Transistor
IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V IC = 90A, TC =100°C tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 75A Applications • Welding • H Bridge Converters
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