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Datasheet IRGP6690D-EPBF Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | IRGP6690D-EPBF | Insulated Gate Bipolar Transistor IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V IC = 90A, TC =100°C tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 75A Applications • Welding • H Bridge Converters
G C
C
C
G
E
C
E G
C
E
n-channel
G Gate
IRGP6690DP |
 International Rectifier |
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IRGP6690D-E Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| IRGP6690D-EPbF | Insulated Gate Bipolar Transistor |
International Rectifier |
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[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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