|
|
IRGP6630D-EPBF 전자부품 데이터시트
|
|
IRGP6630D-EPBF 전자부품 회로 및
기능 검색 결과
IRGP6630D-EPBF
International Rectifier
Insulated Gate Bipolar Transistor
VCES = 600V IC = 30A, TC =100°C
IRGP6630DPbF IRGP6630D-EPbF
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
C C
C
tSC 5µs, TJ(max) = 175°C
VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 18A
Applications Welding H Bridge Co
|
|
| 사이트 맵 |
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C |
PartNumber.co.kr | 2020 | 연락처 |