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IRG8P08N120KD-EPBF 전자부품 데이터시트



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IRG8P08N120KD-EPBF  

International Rectifier
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IRG8P08N120KD-EPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

  IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF IRG8P08N120KD-EPbF VCES = 1200V IC = 8A, TC =100°C Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode  C tSC 10µs, TJ(max) = 150°C VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 5A Applications • Industrial Mot


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