Datasheet IPP16CNE8NG Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IPP16CNE8NG	Power-Transistor IPB16CNE8N G IPI16CNE8N G IPD16CNE8N G IPP16CNE8N G OptiMOS®2 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS complian	Infineon Technologies

IPP16CNE Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IPP16CNE8NG	Power-Transistor IPB16CNE8N G IPI16CNE8N G IPD16CNE8N G IPP16CNE8N G OptiMOS®2 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead pl	Infineon Technologies

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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