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Datasheet IPP16CNE8NG Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IPP16CNE8NG | Power-Transistor
IPB16CNE8N G IPI16CNE8N G
IPD16CNE8N G IPP16CNE8N G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS complian |
Infineon Technologies |
IPP16CNE Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IPP16CNE8NG | Power-Transistor |
Infineon Technologies |
Esta página es del resultado de búsqueda del IPP16CNE8NG. Si pulsa el resultado de búsqueda de IPP16CNE8NG se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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