Datasheet IPB108N15N3G Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IPB108N15N3G	Power Transistor IPB108N15N3 G IPP111N15N3 G IPI111N15N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor TM Product Summary V DS R DS(on),max (TO263) ID 150 10.8 83 V mΩ A Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature	Infineon Technologies

IPB108N15 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IPB108N15N3G	Power Transistor IPB108N15N3 G IPP111N15N3 G IPI111N15N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor TM Product Summary V DS R DS(on),max (TO263) ID 150 10.8 83 V mΩ A Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C ope	Infineon Technologies

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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