Datasheet HFH6N90 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	HFH6N90	N-Channel MOSFET HFH6N90 Mar 2010 HFH6N90 900V N-Channel MOSFET BVDSS = 900 V RDS(on) typ = 1.95 Ω ID = 6.0 A FEATURES  Originative New Design  Superior Avalanche Rugged Technology  Robust Gate Oxide Technology  Very Low Intrinsic Capacitances  Excellent Switching Characteristics  Unrivalled G	SemiHow

HFH6 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
HFH6N90	N-Channel MOSFET HFH6N90 Mar 2010 HFH6N90 900V N-Channel MOSFET BVDSS = 900 V RDS(on) typ = 1.95 Ω ID = 6.0 A FEATURES  Originative New Design  Superior Avalanche Rugged Technology  Robust Gate Oxide Technology  Very Low Intrinsic Capacitances  Excellent Switching Characterist	SemiHow

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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