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HBR10150BFR  

Jilin Sino
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SCHOTTKY BARRIER DIODE

肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE HBR10150 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IF(AV) VRRM Tj VF(max) 10(2×5)A 150 V 175 ℃ 0.72V (@Tj=125℃) 用途 z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电 路 APPLICA




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