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Datasheet GTT8209E Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | GTT8209E | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006/08/08 REVISED DATE :
GTT8209E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
20V 21m 7A
The GTT8209E used advanced trench technology to provide excellent on-resistance extremely efficient and cost-effectiveness device. The |
GTM |
GTT82 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
GTT8205S | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
GTM |
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GTT8209E | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
GTM |
Esta página es del resultado de búsqueda del GTT8209E. Si pulsa el resultado de búsqueda de GTT8209E se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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