GT50N324
Toshiba
silicon N-channel IGBTGT50N324
東芝伝導度変調型電界効果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT
GT50N324
○ 電圧共振インバータスイッチング用 ○ 第 6 世代
単位: mm
• 高速 FRD を内蔵しています。
• 取り扱いが簡単な
GT50N321
Insulated Gate Bipolar TransistorGT50N321
東芝伝導度変調型電界効果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT
GT50N321
○ 電圧共振インバータスイッチング用 ○ 第 4 世代
• • • • 高速 FRD を内蔵しています。 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。 ス�
Toshiba Semiconductor
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GT50N322A
Insulated Gate Bipolar TransistorGT50N322A
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT50N322A
Voltage Resonance Inverter Switching Application Fifth Generation IGBT
• • • • FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.10 μs (typ.) (IC = 60 A) FRD : trr =
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