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GT45F123  

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

GT45F123

Insulated Gate Bipolar Transistor

GT45F123 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT45F123 For PDP-TV Applications • • • • • 5th generation (trench gate structure) IGBT Enhancement-mode Low input capacitance: Cies = 2700pF (typ.) Peak collector current: ICP


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