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GT40M301 전자부품 데이터시트



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GT40M301  

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

GT40M301

Silicon N Channel MOS Type INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

GT40M301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE GT40M301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm l The 3rd Generation l FRD Included Between Emitter and Collector l Enhancement−Mode l High Speed IGBT : tf = 0.25µs (TYP.)


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