파트넘버.co.kr GT15Q101 데이터시트 검색

GT15Q101 전자부품 데이터시트



GT15Q101 전자부품 회로 및
기능 검색 결과



GT15Q101  

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

GT15Q101

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING/ MOTOR CONTROL APPLICATIONS)





관련 부품 GT15Q1 상세설명

GT15Q102  

  
High Power Switching Applications

GT15Q102 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15Q102 High Power Switching Applications Unit: mm The 3rd Generation Enhancement-Mode High Speed: tf = 0.32 µs (max) Low Saturation Voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) · · · · Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic



Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

PDF




  [1] 




사이트 맵

0    1    2    3    4    5    6    7    8    9    A    B    C    

D    E    F    G    H    I    J    K    L    M    N    O

    P    Q    R    S    T    U    V    W    X    Y    Z


PartNumber.co.kr   |  2020    |  연락처