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Datasheet FDT86246 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | FDT86246 | MOSFET ( Transistor ) FDT86246 N-Channel Power Trench® MOSFET
December 2010
FDT86246
N-Channel Power Trench® MOSFET
150 V, 2 A, 236 mΩ
Features
General Description
Max rDS(on) = 236 mΩ at VGS = 10 V, ID = 2 A Max rDS(on) = 329 mΩ at VGS = 6 V, ID = 1.7 A High performance trench technology for extremely |
Fairchild Semiconductor |
FDT86 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
FDT86106LZ | MOSFET ( Transistor ) |
Fairchild Semiconductor |
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FDT86256 | MOSFET ( Transistor ) |
Fairchild Semiconductor |
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FDT86246 | MOSFET ( Transistor ) |
Fairchild Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del FDT86246. Si pulsa el resultado de búsqueda de FDT86246 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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