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Datasheet FDP3651U Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 FDP3651U   N-Channel PowerTrench MOSFET

FDP3651U — N-Channel PowerTrench® MOSFET October 2013 FDP3651U N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 80 A, 18 mΩ Features • RDS(on) = 15 mΩ ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 80 A • High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) • Low Miller Charge • UIS Capability (Single Puls
 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor		 datasheet FDP3651U pdf

FDP36 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
FDP3651U

N-Channel PowerTrench MOSFET

FDP3651U — N-Channel PowerTrench® MOSFET October 2013 FDP3651U N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 80 A, 18 mΩ Features • RDS(on) = 15 mΩ ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 80 A • High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) • Low Miller Charge • UIS Cap
 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor		 datasheet pdf - Fairchild Semiconductor
FDP3652

N-Channel PowerTrench MOSFET 100V/ 61A/ 16m

FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 October 2002 FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 61A, 16mΩ Features • r DS(ON) = 14mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A • Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability
Fairchild Semiconductor
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FDP3632

N-Channel PowerTrench MOSFET 100V/ 80A/ 9m

FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 April 2003 FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9mΩ Features • r DS(ON) = 7.5mΩ (Typ.), V GS = 10V, ID = 80A • Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (
 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor		 datasheet pdf - Fairchild Semiconductor


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SPS122

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 Sanken
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