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Fairchild Semiconductor
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N-Channel Power Trench MOSFET

FDMC86106LZ N-Channel Power Trench® MOSFET December 2010 FDMC86106LZ N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 7.5 A, 103 mΩ Features „ Max rDS(on) = 103 mΩ at VGS = 10 V, ID = 3.3 A „ Max rDS(on) = 153 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 2.7 A „ HBM ESD protection


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