Datasheet FDD86102LZ Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FDD86102LZ	MOSFET ( Transistor ) FDD86102LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET FDD86102LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 mΩ Features General Description August 2012 Max rDS(on) = 22.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 8 A Max rDS(on) = 31 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 7 A HBM ESD protection level > 6 kV typical (Not	Fairchild Semiconductor

FDD8610 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
FDD86102	MOSFET ( Transistor ) FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 36 A, 24 mΩ Features General Description March 2012 Max rDS(on) = 24 mΩ at VGS = 10 V, ID = 8 A Max rDS(on) = 38 mΩ at VGS = 6 V, ID = 6 A High performance trench technology	Fairchild Semiconductor
FDD86102LZ	MOSFET ( Transistor ) FDD86102LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET FDD86102LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 mΩ Features General Description August 2012 Max rDS(on) = 22.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 8 A Max rDS(on) = 31 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 7 A HBM ESD protection level	Fairchild Semiconductor

Esta página es del resultado de búsqueda del FDD86102LZ. Si pulsa el resultado de búsqueda de FDD86102LZ se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin.

Enlace url :

[1]

nuevas actualizaciones

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap