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FCB36N60N  

Fairchild Semiconductor
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FCB36N60N

N-Channel MOSFET

FCB36N60N N-Channel MOSFET March 2013 FCB36N60N N-Channel SupreMOS® MOSFET 600 V, 36 A, 90 mΩ Features • RDS(on) = 81 mΩ (Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 18 A • Ultra low gate charge (Typ. Qg = 86 nC) • Low effective output capacitance (Typ. Coss.eff = 361


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