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Datasheet EMB60A06S Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes Category
1EMB60A06SField Effect Transistor

    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  RDSON (MAX.)  60mΩ  ID  5A    UIS, 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMET
Excelliance MOS
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transistor


EMB Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes Catagory
1EMB02K03HPField Effect Transistor

  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  S2 S2 S2 G2   N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS  30V  RDSON (MAX.)  5.5mΩ  30V  2.6mΩ  D2 / S1 ID  50A  83A  D1 UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
Excelliance MOS
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2EMB02N03HRField Effect Transistor

  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  1.7mΩ  ID  100A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Oth
Excelliance MOS
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3EMB02N03HSField Effect Transistor

  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  2.5mΩ  ID  100A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Oth
Excelliance MOS
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transistor
4EMB02N60ABField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  600V  D RDSON (MAX.)  4.0Ω  ID  2A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwi
Excelliance MOS
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5EMB02N60CSBField Effect Transistor

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  600V  D RDSON (MAX.)  4.0Ω  ID  2A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwi
Excelliance MOS
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6EMB02Q03HPField Effect Transistor

  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS  30V  30V  RDSON (MAX.)  5.0mΩ  2.0mΩ  ID  53A  95A  UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free      ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Excelliance MOS
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7EMB03K03HPField Effect Transistor

(Preliminary)  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  S2 S2 S2 G2   N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS  30V  RDSON (MAX.)  7mΩ  30V  3.5mΩ  D2 / S1 ID  15A  25A  D1 UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Ha
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SPS122

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