DG6N65
DGME
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETDG6N65
N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
版本号:V1.0
产品概述 General Description
DG6N65是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平面 工艺及先进的
DG6N70
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETDG6N70
N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
版本号:V1.0
产品概述 General Description
DG6N70是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平面 工艺及先进的终端耐压技术,降低了导通损�
DGME
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DG6N60
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET江苏东晨电子科技有限公司
JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd
DG6N60
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
版本号 201603-A
产品概述 General Description
DG6N60是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东晨电子的相关专利�
JiangSu Dongchen Electronics
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DG6N60
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETDG6N60
N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
版本号:V1.0
产品概述 General Description
DG6N60是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平面 工艺及先进的终端耐压技术,降低了导通损�
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