DD1200
Diotec Semiconductor
Fast Switching High Voltage Si-RectifiersDD 300 … DD 1800 Fast Switching High Voltage Si-Rectifiers Schnelle Si-Hochspannungs-Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
Ø3
±0.05
20 mA 3000…18000 V Ø 3.05 x 14 [mm] 0.4 g
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plast
DD1200S17H4_B2
Infineon
IGBT-ModuleTechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul IGBT-Module
DD1200S17H4_B2
IHM-BModul IHM-Bmodule
TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • AktiverEingang(Rückspeisung) • Hochleistungsumrichter • Multi-LevelUmrichter • Trakti
DD1200S33K2C
Infineon
IGBT-ModuleTechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
DD1200S33K2C
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C Tvj =