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DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SD1006, 1007 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that this is the latest version. Not all products and
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TetraFET D1006UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA B C A E 1 2 3 F G 6 J 5 4 GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 120W – 28V – 175MHz SINGLE ENDED FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN D H M Q N K O P • SUITABLE
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