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Datasheet AGR18125E Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 AGR18125E   Transistor

Product Brief AGR18125E 125 W, 1.805 GHz—1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor Introduction The AGR18125E is a 125 W, 26 V, N-channel goldmetallized, laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) RF power field effect transistor (FET) suitable for global system for mobile communication (GSM
TriQuint Semiconductor
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datasheet AGR18125E pdf

AGR181 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
AGR18125E

Transistor

Product Brief AGR18125E 125 W, 1.805 GHz—1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor Introduction The AGR18125E is a 125 W, 26 V, N-channel goldmetallized, laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) RF power field effect transistor (FET) suitable for global system for mobil
TriQuint Semiconductor
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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