Datasheet 3DG5551 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	3DG5551	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN 硅外延晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R 3DG5551 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC VCEO PC (TO-92) PC (SOT-23) 0.6A 160V 0.625W 0.350W 用途 APPLICATIONS z 高频开关电源 z High frequency switching power supply z 高频功率变换 z High frequency	JILIN SINO

3DG5 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
3DG536KM	SILICON NPN TRANSISTOR 2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于小信号一般放大电路。 Purpose: Small signal general purpose amplifier applications. 极限参数/Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数符号数值单位 Symbol	LZG
3DG5551	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN 硅外延晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R 3DG5551 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC VCEO PC (TO-92) PC (SOT-23) 0.6A 160V 0.625W 0.350W 用途 APPLICATIONS z 高频开关电源 z High frequency switching power supply z 高频功率变�	JILIN SINO
3DG536M	SILICON NPN TRANSISTOR 2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于小信号一般放大电路。 Purpose: Small signal general purpose amplifier applications. 极限参数/Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数符号数值单位 Symbol	LZG

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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