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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD3040 A7 ○R 产品概述 3DD3040 A7 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 产品特点 ● 开关损耗低
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD3040 A6 ○R 产品概述 3DD3040 A6 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 产品特点 ● 开关损耗低
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD3040 A3 ○R 产品概述 3DD3040 A3 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 产品特点 ● 开关损耗低
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 3DD303B DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 60V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat)= 0.6V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS ·Designed for B/W TV vertical o
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 3DD301B DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 50V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat)= 2.0V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS ·Designed for B/W TV vertical out
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD3040 A1 ○R 产品概述 3DD3040 A1-H 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该 产品采用平面工艺,分压环 终端结构和少子寿命控制 技术,提高了产品的击穿电 压、开关速度和可靠性。 存储条件和焊接温度 产�
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