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Huajing Microelectronics
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3DD13007Z7

Silicon NPN Transistor

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3DD13007Y8  

  
Silicon NPN bipolar transistor

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3DD13007X1  

  
Silicon NPN bipolar transistor

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3DD13007NL  

  
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JILIN SINO-MICROELECTRONICS
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3DD13007N36  

  
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3DD13007F8  

  
Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

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Huajing Microelectronics
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3DD13007  

  
Plastic-Encapsulated Transistors

Transys Electronics L I M I T E D TO-220 Plastic-Encapsulated Transistors 3DD13007 FEATURES Power dissipation PCM: 2 W (Tamb=25℃) 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER TRANSISTOR (NPN) TO-220 aSheet4U.com Collector current 8 A ICM: Collector-base voltage 700 V V(BR)CBO: Operating and storage junctio



TRANSYS Electronics
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