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번호 파트넘버 2SC4102 기능 및 상세설명 제조사 PDF
4 2SC4102   High-voltage Amplifier Transistor

SMD Type High-voltage Amplifier Transistor 2SC4102 Transistors Features High breakdown voltage.(VCEO = 120V) 1 Emitter 2 Base 3 Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Colle
Kexin
Kexin
2SC4102
3 2SC4102   High-voltage Amplifier Transistor(120V/ 50mA)

2SC4102 / 2SC3906K / 2SC2389S Transistors High-voltage Amplifier Transistor (120V, 50mA) 2SC4102 / 2SC3906K / 2SC2389S !Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) 2) Complements the 2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S. !External dimensions (Units : mm) 2SC4
Rohm
Rohm
2SC4102
2 2SC4102   TRANSISTOR

2SC4102 TRANSISTOR (NPN) FEATURES  High Breakdown Voltage  Complements the 2SA1579 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC RΘJA Tj Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage
Jin Yu Semiconductor
Jin Yu Semiconductor
2SC4102
1 2SC4102W   Silicon Epitaxial Planar Transistor

BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES z z Excellent hFE linearity. Power dissipation:PCM=200mW Production specification 2SC4102W Pb Lead-free APPLICATIONS z NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor. SOT-323 ORDERING INFORMATION
Galaxy Semi-Conductor
Galaxy Semi-Conductor
2SC4102W


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해외 판매점 Mouser Electronics DigiKey Electronics Element14
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상호 : 아이지 인터내셔날, 전화번호 : 051-319-2877, [ 홈페이지 ]

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