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Datasheet 2SC3356W Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | 2SC3356W | Silicon Epitaxial Planar Transistor
BL Galaxy Electrical
Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
z Low noise and high gain: NF=1.1dB TYP, Ga=11dB TYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz
Production specification
2SC3356W
Pb
Lead-free
z
High power gain:MAG=13dB TYP. @VCE=10V.IC=20mA,f=1.0GHz
APPLICATIONS
z NPN Sili |
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
2SC33 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
2SC3358 | NPN Silicon Epitaxial Transistor |
Unisonic Technologies |
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2SC3378 | Transistoe |
Toshiba |
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2SC3311A | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
Panasonic Semiconductor |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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