Datasheet 2SC2879A Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	2SC2879A	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2SC2879A TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2SC2879A 2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) Unit in mm z z z z z Specified 12.5V, 28MHz Characteristics Output Power Power Gain Collector Efficiency : Po = 100WPEP : Gp = 13dB : ηC = 35% (Min.) Int	Toshiba

2SC28 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
2SC2879	TRANSISTOR (2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)(LOW SUPPLY VOLTAGE USE)	Toshiba Semiconductor
2SC2878	Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC2878 2SC2878 For Muting and Switching Applications · High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min) · High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −4 mA) · Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB = 5 mA)	Toshiba Semiconductor
2SC2808	Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor	ROHM Semiconductor

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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