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번호 파트넘버 2SC1972 기능 및 상세설명 제조사 PDF
4 2SC1972   NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)

Mitsubishi Electric Semiconductor
Mitsubishi Electric Semiconductor
2SC1972
3 2SC1972   NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

2SC1972 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2SC1972 is Designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. FEATURES INCLUDE: • • • Replaces Original 2SC1972 in Most Applications High Gain Reduces Drive Requirements
ASI
ASI
2SC1972
2 2SC1972   silicon NPN epitaxial planar type transistor

2SC1972 Description The Eleflow 2SC1972 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers within the VHF band, ideal for mobile radio applications. Features • High power gain: Gpe ≥ 7.5dB @Vcc = 13.5V, Po = 14W, f = 175MHz
Eleflow
Eleflow
2SC1972
1 2SC1972   Silicon NPN POWER TRANSISTOR

HG HG RF POWER TRANSISTOR Semiconductors ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR 2SC1972 Note : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change www.HGSemi.com Sep. 1998
HGSemi
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2SC1972


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