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2N6581 데이터시트 검색 결과

번호 파트넘버 2N6581 기능 및 상세설명 제조사 PDF
3 2N6581     Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

2N6581 Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 38.61 (1.52) 39.12 (1.54) 0.97 (0.060) 1.10 (0.043) 29.
Seme LAB
Seme LAB
2N6581
2 2N6581     Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification 2N6581 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·High Voltage,High Speed ·Low Saturation Voltage ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 450V(Min) APPLICATION
Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2N6581
1 2N6581     Trans GP BJT NPN 450V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
2N6581


전자부품 판매 정보

국내 판매점 디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ
해외 판매점 Mouser Electronics DigiKey Electronics Element14
전력반도체 전문 판매 ( IGBT 모듈, TR 모듈, SCR 모듈, 다이오드 모듈 ) 및 공작기계 매입 : 010-3582-2743

상호 : 아이지 인터내셔날, 전화번호 : 051-319-2877, [ 홈페이지 ]

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