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2N5108 데이터시트 검색 결과

번호 파트넘버 2N5108 기능 및 상세설명 제조사 PDF
4 2N5108     HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

2N5108 MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Voltage (Rbe = 10(7) Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage —Collector Current Continuous Total Device Dissipation (a Tq = 25°C Derate above 25°C Storage Temperature Symbol vC
Motorola
Motorola
2N5108
3 2N5108     NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

2N5108 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION: The 2N5108 is a Designed for General Purpose Class C Amplifier Applications Up to 1 GHz. PACKAGE STYLE TO-39 FEATURES: • GPE = 6.0 dB Typ. at 1.0 GHz • FT = 1,500 MHz Typ. at 15 V/ 50 mA • Herme
Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
2N5108
2 2N5108     Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification 2N5108 DESCRIPTION ·High Current-Gain Bandwidth Product : fT= 1200MHz (Min) @VCE = 10V,IE = 50mA ·Low Saturation Voltage ·Good Linearity of hFE APPLICATIONS ·Designed for g
INCHANGE
INCHANGE
2N5108
1 2N5108     Trans GP BJT NPN 20V 0.4A 3-Pin TO-39

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
2N5108


전자부품 판매 정보

국내 판매점 디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ
해외 판매점 Mouser Electronics DigiKey Electronics Element14
전력반도체 전문 판매 ( IGBT 모듈, TR 모듈, SCR 모듈, 다이오드 모듈 ) 및 공작기계 매입 : 010-3582-2743

상호 : 아이지 인터내셔날, 전화번호 : 051-319-2877, [ 홈페이지 ]

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